放熱性能が大幅強化。Galaxy S26でExynosがようやく安定するかも

直近の情報からもExynos2500はSamsungの第2世代の3nmプロセスルールを採用していると予測されていますが歩留率が現時点で20%以下と言われています。このことからもGalaxy S25シリーズの大量生産が開始すると言われている今年の10月に間に合わない可能性があるとの予測。

今回SamMobileによるとExynos2600で放熱性能が大幅に強化される可能性があると報告しているのでまとめたいと思います。

新しいパッケージング技術を開発中。

2023年に関してはSamsungの半導体部門が、モバイル部門を満足させることができるExynos2300を開発出来なかったことからもスキップされ販売地域関係なくGalaxy S23シリーズはSnapdragon 8 Gen 2を共通搭載しています。

ただ基本歴代Galaxy Sシリーズは販売地域によってExynos/Snapdragonと搭載SoCを分けることでコストカットしている可能性があります。ただ一方で販売地域によってSoCが異なるため同じ機種であってもパフォーマンスに差があり基本はExynosの方が劣ります。

そして今回の情報によるとSamsungは新しいパッケージング技術を開発している可能性があると指摘しています。今回の情報によるとSamsungはファンアウトウェーハレベルパッケージングヒートパッチブロック(FOWLP-HPB)を開発中としており、このパッケージング技術はすでにサーバー向けやPC向けでは採用されています。

ただAI処理とより高いパフォーマンスの必要性からもSamsungはスマホ向けの半導体にも採用するために開発を進めているとしており年末までには開発が完了する可能性があるとしています。

ただ今回の情報通りであればExynos2500には間に合わない可能性が高いので早くても2026年1月に登場するExynos2600から採用される可能性があるのかもしれません。

放熱性能がより強化される可能性。

またFOWLP-HPBの大きな特徴の一つとして放熱性能が改善されることでSamsungはさらにパッケージングする際の新しい包装材料も試しているとしています。

一部話によるとGoogle Tensor G3でもPixel 8が搭載しているものとPixel 8aが搭載しているものでは採用されているパッケージング技術が異なりPixel 8a用の方がコストが安いパッケージング技術を採用していることから発熱がしやすいと言われています。

少なくともパッケージング技術が進化すれば発熱改善につながる可能性があり、他社のDimensityやSnapdragonにどこまで迫ることができるか不明とはいえExynos2400はさらに安定する可能性があります。

とはいえ現状だとSamsungは3nmプロセスルールを採用した半導体をまともに製造することができずGalaxy S25シリーズは全てSnapdragon 8 Gen 4を搭載している可能性があるとも予測されています。

新技術の開発はもちろん大切ですがまずはExynos2500をGalaxy S25シリーズに搭載することができるのかが重要になりそうです。

最新情報をチェックしよう!